Hem gelir hem de sevkiyat açısından dünyanın en büyük 3D NAND tedarikçisi olan Samsung, katı hal sürücülerinin bit yoğunluğunu ve kapasitelerini artırmak için yeni üretim süreçleri hazırlıyor. Firma, tek bir SSD kapasitesinin 1 petabayta veya 1.024 terabayt seviyesine çıkabileceğini düşünüyor. Görünüşe göre Samsung, bu hedefe katman sayısını artırarak ulaşmayı değerlendiriyor.
1.000 katman ve 1 TB SSD’ler yolda
Samsung, halihazırda 9. Nesil V-NAND üretimine başlamış ve bu belleklerinde 290 katmana ulaşmıştı. Firma bir önceki nesilde 236 katmanlı çözümler üretirken ilginç bir şekilde gelecek yıl 430 katmanlı (10. Nesil V-NAND) istiflemeye dayanan bir NAND belleğinin üretimini gerçekleştirecek. Ancak Samsung’un 1 petabayt hedeflerine ulaşması için tek başına katman sayısını artırması yetmeyecek. Firma, TCL NAND üretimini şimdilik merkeze alsa de ilerleyen dönemlerde dört seviyeli hücre yani Quad-level cell (QLC) yongalarını ana akıma getirmeyi istiyor.
Esasında bu da yeterli değil zira Samsung, fiziksel ölçeklendirmenin (NAND hücrelerinin küçültülmesi ve NAND katmanlarının sayısının artırılması) tek başına yeterli olmadığını ve bu nedenle mantıksal ölçeklendirmenin (hücre başına depolanan bit sayısının artırılması) gerekli olduğunu düşünüyor. Mantıksal ölçeklendir konusunda Kioxia (eski adıyla Toshiba) ise sektördeki en güçlü oyunculardan birisi. Firma, 2019 yılında beş seviyeli hücre (PLC), 2021 yılında altı seviyeli hücre (HLC) yapısına sahip 3D NAND bellekleri sergilemişti. Şimdilerde şirket sekiz seviyeli hücrelerin mümkün olduğunu söylüyor. Hücre başına daha fazla bit depolamak için voltaj seviyelerinin de yükseleceğini hesaba katmak gerekiyor. Dolayısıyla yüksek voltaj durumunu depolayabilecek doğru malzemeleri belirlemek, bunların hacimli üretimi yapmak ve sıcaklığı kontrol altına almak kritik önem taşıyor. Ancak Samsung, resmi olarak doğrulamasa da aktif bir şekilde bu sorunları çözecek bir araştırmada yakından rol alıyor.
VLSI Teknoloji Sempozyumu’nda Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü’nden (KAIST) araştırmacılar, belirli koşullar altında ferroelektrik özellik gösteren bir malzeme sınıfı olan Hafnia üzerinde çalışıyor. Bu ferroelektrik malzeme ile düşük voltaj seviyelerinde kalınabileceği belirtiliyor. Ferroelektrik malzemelerin daha verimli kapasitörlerin ve belleklerin geliştirilmesinde rol alabileceği düşünülüyor. Zaten ilgili araştırmada da hafnianın 3D V-NAND belleklerde kullanılabileceğinden bahsediliyor.
Kaynak: Donanimhaber – https://www.donanimhaber.com/samsung-dunyanin-ilk-petabayt-ssd-sini-uretmeye-dogru-ilerliyor–177238
