Samsung, Haziran ayındaki VLSI Sempozyumu 2024’te gate-all-around (GAA) transistörlerini içeren üçüncü nesil üretim sürecinin detaylarını paylaşacak. Şirketin SF2 adını verdiği ilk 2nm üretim süreci, performans ve verimlilik açısından önemli iyileştirmeler sunacak.
Önemli performans ve verimlilik iyileştirmeleri sunacak
Samsung, 3nm GAA sürecini 2022’de duyurmuştu. Görünüşe göre şirket, TSMC gibi 3nm’de üç adet yineleme yapmayı düşünüyor. GAA transistörlerin avantajlarından faydalanan Samsung, bu sayede küçülen transistörlerdeki akım kaçaklarını azaltarak, akım akışını daha iyi kontrol edebiliyor. Samsung, GAA’nın transistör performansını %11 ile %46 arasında arttırdığını, değişkenliği %26 ve akım kaçaklarını %50 azalttığını belirtiyor.
Business Korea’nın haberine göre Samsung yalnızca teknolojik sınırları zorlamakla kalmayıp aynı zamanda 2nm sınıfı üretim süreci için ekosistemini de güçlendiriyor. Şirket, 50’den fazla fikri mülkiyet ortağıyla çalışıyor ve 4.000’den fazla patente sahip. Bu yılın başlarında Samsung ve Arm, Cortex-X ve Cortex-A çekirdeklerini Samsung’un GAA tabanlı üretim teknolojileri için optimize etmek üzere bir anlaşma imzalamıştı.
Samsung’un SF2 sürecinin tasarım altyapısını geliştirmeyi 2024’ün ikinci çeyreğinde tamamlaması bekleniyor. Koreli dev ayrıca, ikinci nesil 3nm üretim süreci SF3‘ü kullanan çiplerin üretimine başlamayı da planlıyor. İlk nesilde üretim verimliliği yakalayamayan, dolayısıyla müşterilerin ilgisini çekemeyen Samsung, ikinci nesil 3nm sürecinden umutlu.
Samsung’un bu yaz tasarım özelliklerini ayrıntılarıyla açıklamasıyla birlikte, 2025 yılında SF2 üzerine inşa edilen ilk ürünleri görmeyi bekliyoruz. Samsung SF2 süreciyle, TSMC’nin 2nm düğümüne ve Intel’in 18A (1.8nm) teknolojisine rakip olmaya çalışacak.
Kaynak: Donanimhaber – https://www.donanimhaber.com/samsung-2nm-uretim-sureciyle-rekabete-dahil-oluyor–176842
