Güney Koreli araştırmacılar nanometrenin altında yarı iletken mantık devrelerini üretmek için bir yöntem geliştirdi. Temel Bilimler Enstitüsü’ndeki (IBS) araştırmacılar, genişliği 1 nm’den az olan 1D (1 boyutlu) metalik malzemelerin epitaksiyel büyümesi için yeni bir yöntem bulduklarını açıkladı. Bu yöntemle 1D metaller, 2D transistörün kapı elektrodu görevi görmeyi başardı.
Nanometre altı işlemciler hayal değil
Elektrik ve Elektronik Mühendisleri Enstitüsü (IEEE), yarı iletken üretim teknolojisinin 2037 yılına kadar 12 nm transistör uzunluğuyla yaklaşık 0,5 nm’ye ulaşacağını öngörürken, IBS araştırmacıları 1D MTB (mirror twin boundary, ayna ikiz sınır) kapısının 3,9 nm kadar küçülebileceğini iddia ediyor.
2D yarı iletkenlere dayanan ultra küçük transistörleri üretmenin çok zor bir süreç olduğu biliniyor. Bilim insanları, geleneksel yarı iletken üretim süreçlerinde kapı uzunluğunu birkaç nanometrenin altına düşürmenin litografi çözünürlüğünün sınırlamaları nedeniyle çok zor olduğunu belirtiyor. Bu sorunu çözmek için Koreli bilim insanları, molibden disülfiti (MoS₂) ayna ikiz sınırı (MTB) kapı elektrotu olarak kullanarak 0,4 nm genişliğe ulaştıklarını açıkladı.
![](https://teknogaste.com/wp-content/uploads/2024/07/arastirmacilar-nanometre-alti-cipler-uretmek-icin-yeni-bir-yontem-gelistirdi-1-4EnItgZr.jpg)
![](https://teknogaste.com/wp-content/uploads/2024/07/arastirmacilar-nanometre-alti-cipler-uretmek-icin-yeni-bir-yontem-gelistirdi-2-8dGDxiTy.jpg)
Araştırma ekibinin lideri JO Moon-Ho, 1D MTB tabanlı transistörün gelecekte düşük güçlü ve yüksek performanslı elektronik cihazların geliştirilmesinde önemli bir teknoloji haline gelmesini bekliyor.
Kaynak: Donanimhaber – https://www.donanimhaber.com/nanometre-alti-cipler-uretmek-icin-yeni-bir-yontem-gelistirildi–179130